[参考译文] TPS2663：TPS2663和 DRV 引脚未指定

2.3.2.6选择 Q1、Q2和 TVS 钳位进行浪涌保护
TPS26630器件支持反向输入极性保护功能。 N 沟道
功率 FET (Q1)的源极至 IN_SYS、漏极至 IN 和栅极至 B 栅极形成背对背 FET
保护负载免受输入反极性故障影响所需的电源路径拓扑。 连接
BGATE、DRV 和 IN_SYS 上的外部信号 FET (Q2)在期间为 Q1创建一个下拉栅极开关
反向电流和反极性故障事件。
如果发生负浪涌冲击、输入电压将被 D1钳位至–58.1V、从而产生电压
外部阻断 FET Q1上的–(58.1V + 24V)= 82.1V 的应力。 在本设计中、额定 N 沟道为100V
FET。
B_GATE 驱动处于10V–14V 范围内、因此是一个具有指定目标 RDS (ON)的合适 FET
选择该栅极驱动电压。 Q2应至少为额定 VDS 为15V 且具有最大额定 VGS 的 FET
20 V、Ciss≤50 pF 和 VGTH (min)≤3V。 为 Q1选择 CSD19533Q5A 和 CSD16301Q2
和 Q2。