[参考译文] UCC2818A-Q1：MOSFET 选择和给定栅极电阻的功率损耗

您好、TI、

我正在计算中、请尽快分享您的观点。

谢谢、

Dinesh

尊敬的 TI：

我正在等待您的回复。 如果您能够提供支持、请告诉我、否则我需要查找其他资源。

我处于计算的中间。

谢谢、

Dinesh Grread

您好 Dinesh

很难预测最佳的栅极电阻值应该是多少-如果您使用非常低的值、则会由于较高的 dv/dt 速率而获得更快的开关速度、但 EMI 会更大。 如果使用较高的值、则开关速度变慢、但开关损耗增加。

我的建议是使用比数据表中显示的网络略复杂的网络。 导通电阻为 R1+R2、关断电阻为 R1。 D1是一种快速信号二极管、额定关断期间 R1中的峰值电流。

除非您可以从制造商处获得峰值脉冲电流额定值、否则请使用1206尺寸的电阻器。

对于初始开发-请尝试 R1 = 2.2R 和 R2 = 1R

您必须在硬件上进行实验、以在开关速度和 EMI 之间实现最佳平衡。

您可能希望联系 MOSFET 制造商讨论这一点、因为他们对其器件的开关行为的了解要比 TI 更深入。 最后、您可能希望考虑使用单独的 MOSFET 栅极驱动器-这可能很有用、因为栅极驱动器可以直接放置在 MOSFET 上、而控制器可能需要放置一小段距离、以便为反馈和其他信号进行路由。

此致

Colin

您好、Colin、

感谢您的回复。

我认为下面是所连接的电路。 650W PFC 应用是否可以。

您好 Dinesh

还可以-我们在900W PFC 设计中使用了它- http://www.ti.com/tool/TIDA-00443

设计人员添加了使用外部驱动器或控制器内部驱动器的选项、因此比上面的电路复杂一些。

此致

Colin

您好、Colin、

我正在使用 ucc2818a-Q1，如果我使用 PFC 控制器直接驱动 MOSFET，将会出现任何问题。

请分享您的想法。

此致、

迪纳什