[参考译文] LMG3410R050：适用于交流/直流适配器的 GaN FET +反激式控制器

您好！

就使用 GaN 实现反激式拓扑而言、我看不到问题。 您可以将此问题发布到控制器器件型号、并与控制器专家核实是否合适。

一些客户将 UCC28780与 LMG3410器件搭配使用、以实现有源钳位反激式拓扑。

对于使用 GaN 进行设计、PCB 布局的一些指南为：

为了最大限度地减小电源环路以实现最低寄生电感：

• 将 GaN 器件和旁路电容器尽可能靠近放置。
• 使用与我们的半桥 EVM 类似的多个小型陶瓷旁路电容器。
• 减小侧向电源环路中的布线长度

为了获得更好的热性能、它还可以遵循我们的通用设计规则、即多层电路板：

• 用于散热的较大散热过孔面积
• 减少电路板厚度

当电源环路最小化时、可以减少电压振铃、GaN FET 将具有更好的压摆率、从而使应用能够利用 GaN。

您好、 您好、Yichi、

感谢您的支持。  

我将以 UCC28780EVM  为参考。

    ‘s EVM 原理图后、还有   一个问题：

 反激 式控制 器和 GaN  由         辅助 绕组生成的电压 Pre_bias 供电。

当交流  电源接通时、 辅助 绕组 可能 无法    提供  预偏置电压。  我  没有看到   从 VBULK 到 Pre_BIAS 的任何电阻器。

那么        、当交流 电源  刚刚打开      时、如何为反激式控制器供电、您能给我提一个建议吗、谢谢。