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[参考译文] LM5088:具有相同非同步降压控制器的正负电源

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5088

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/907887/lm5088-positive-and-negative-power-supplies-with-same-non-synchronous-buck-controller

器件型号:LM5088

您好!

我们在  同一系统中使用非同步降压控制器 LM5088MH-2/NOPB 来提供+22.8V 和-22.8V 电源。

当我们仅在-ve 电源上加载时、会加热 其他+ve 电源中使用的 LM5088MH-2/NOPB (温度持续升高)、而+ve 电源上没有负载。 但是、如果我们仅在+ve 电源上加载、则可以正常工作。 我要附上原理图以供参考。 请查找原理图附件。

此致

Zain

高级硬件设计 Engineere2e.ti.com/.../_2B002D00_22.8V.pdf

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    Zain、

    我看不到所附的原理图。

    请重新发送。

    谢谢!

    此致、

    Ankit Gupta

    应用工程师

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    请查找随附的原理图。

    e2e.ti.com/.../2134.Schematic.pdf

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    另一件事是+22.8V 电源的散热焊盘与地相连、而-22.8V 的散热焊盘与-22.8V 相连  

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    您好、Zain、

    反相降压/升压(IBB) 设计具有 Vin + Vout 的有效输入电压、因此偏置电源 LD)会看到更大的电压、从而增加 IC 耗散。 此外、IBB 配置具有不同的占空比、因此请使用 BSC340 80V FET 检查高侧 FET 中的导通损耗。

    您可以使用 LM5088快速入门计算器来检查您的设计。 请注意、应在靠近 FET 和二极管的位置放置一个从 Vin 到-Vout 的输入电容、以完成高频 开关环路。 有关更多详细信息、请参阅应用手册 snva856。

    此致、

    Tim

    www.ti.com/lit/snva856

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    您好、Tim、

    感谢您的回复。 这非常有帮助。

    *-22.8 V 电源

    电感器、MOSFET 和二极管采用-22.8V 电源 、符合应用手册 snva856。 但我们错过 了从 Vin 到-Vout 的输入电容(放置在靠近 FET 和二极管的位置)。 我们进行了返工以放置该电容器(空气中浮动)、但我们的电感器仍然会加热高达100 C @ 2A 的负载 (这在@ 0.3A 负载下正常工作)。-22.8V 电源中的其他组件低于60C。此外、COMP 引脚组件和斜坡引脚组件的值略有不同。 那么、您对此有何建议?

    *+22.8V 电源

    此电源工作正常。 所有组件的温度均低于60 C @ 4A 负载。

    此致

    Zain

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    您好、Zain、

    IBB 电路中的电感器电流实际上是 IL = Iin + Iout、因此其铜损耗比 降压电路中的铜损耗高。 此外、请考虑 IBB 拓扑的 RHP 零点、检查稳压器是否稳定、尤其是在 RHP 零点在占空比较高的情况下降低频率时的最小 Vin。

    此致、

    Tim