您好!
我们在 同一系统中使用非同步降压控制器 LM5088MH-2/NOPB 来提供+22.8V 和-22.8V 电源。
当我们仅在-ve 电源上加载时、会加热 其他+ve 电源中使用的 LM5088MH-2/NOPB (温度持续升高)、而+ve 电源上没有负载。 但是、如果我们仅在+ve 电源上加载、则可以正常工作。 我要附上原理图以供参考。 请查找原理图附件。
此致
Zain
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您好!
我们在 同一系统中使用非同步降压控制器 LM5088MH-2/NOPB 来提供+22.8V 和-22.8V 电源。
当我们仅在-ve 电源上加载时、会加热 其他+ve 电源中使用的 LM5088MH-2/NOPB (温度持续升高)、而+ve 电源上没有负载。 但是、如果我们仅在+ve 电源上加载、则可以正常工作。 我要附上原理图以供参考。 请查找原理图附件。
此致
Zain
请查找随附的原理图。
您好、Zain、
反相降压/升压(IBB) 设计具有 Vin + Vout 的有效输入电压、因此偏置电源 LD)会看到更大的电压、从而增加 IC 耗散。 此外、IBB 配置具有不同的占空比、因此请使用 BSC340 80V FET 检查高侧 FET 中的导通损耗。
您可以使用 LM5088快速入门计算器来检查您的设计。 请注意、应在靠近 FET 和二极管的位置放置一个从 Vin 到-Vout 的输入电容、以完成高频 开关环路。 有关更多详细信息、请参阅应用手册 snva856。
此致、
Tim
您好、Tim、
感谢您的回复。 这非常有帮助。
*-22.8 V 电源
电感器、MOSFET 和二极管采用-22.8V 电源 、符合应用手册 snva856。 但我们错过 了从 Vin 到-Vout 的输入电容(放置在靠近 FET 和二极管的位置)。 我们进行了返工以放置该电容器(空气中浮动)、但我们的电感器仍然会加热高达100 C @ 2A 的负载 (这在@ 0.3A 负载下正常工作)。-22.8V 电源中的其他组件低于60C。此外、COMP 引脚组件和斜坡引脚组件的值略有不同。 那么、您对此有何建议?
*+22.8V 电源
此电源工作正常。 所有组件的温度均低于60 C @ 4A 负载。
此致
Zain