您好!
在充电过程中需要设置哪些寄存器?
因此、我设置了:
VBAT_CTRL 更改为4.2V -> 3C
ICHG_CTRL 更改为500mA -> 3C、也尝试使用较低的150mA
PCHG_CTRL 更改为50mA->94
将 TERMCTRL 更改为20%-> 28
ILIMCTRL 更改为600mA -> 07
充电电流阶跃设置为2.5mA
禁用 TS 寄存器 CHARGECTRL0
TS 控制模式(仅限热/冷)
我已将所有其他寄存器设置为默认状态。
电池为 Samsung 2850mAh (inr18650-29E)
具体情况如下:
STAT0寄存 器每10秒更改一次位 STRG_CV_STAT 设置为有效、而在10秒内 CHARGE_DONE_STAT 设置为有效。 如果我从充电器中取出电池并测量电压、则始终为3.6V
我可以使用该器件充电超过500mA 吗?
谢谢
