您好!
数据表状态中的典型应用系统设计人员应选择 RCHG 和 RDSG 值、以满足所需的 FET 上升和下降时间。
建议值为 RCHG -> 1k Ω 和 RDSG -> 4.5k Ω。 由于我们使用其他组件来保护 CHG FET、因此 RCHG2 -> 1Mohm。
我们将 FET IRFS3207TRLPBF 用于我们的应用。您能否提供一些参考来计算 RCHG 和 RDSG 值。 我们能否继续使用这些建议的值进行实验。
此致、
Shivani Ghorpade
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您好!
数据表状态中的典型应用系统设计人员应选择 RCHG 和 RDSG 值、以满足所需的 FET 上升和下降时间。
建议值为 RCHG -> 1k Ω 和 RDSG -> 4.5k Ω。 由于我们使用其他组件来保护 CHG FET、因此 RCHG2 -> 1Mohm。
我们将 FET IRFS3207TRLPBF 用于我们的应用。您能否提供一些参考来计算 RCHG 和 RDSG 值。 我们能否继续使用这些建议的值进行实验。
此致、
Shivani Ghorpade
您好、Shivani、
图29中的 RCHG2用于在负载出现短路或其他放电故障期间限制流入 CHG 引脚的电流。 1M 通常是一个很好的值。
当充电器存在且 CHG 导通时、RCHG 将限制流入栅极的电流。 IRFS3207的 CISS 为7.6nF、适度。 您可能从1-3 k 欧姆开始。
RDSG 在导通和关断时限制流入 DSG 引脚的电流。 关断通常是更关键的条件、因为它将有助于确定 FET 在一个极端条件下是否保持在其安全工作区域内、或者在另一个极端条件下、快速开关产生的电感尖峰是否较大。 由于 RDSGOFF 很小、因此您可能从4到5k 欧姆开始。 该示例中的4.5k 值通常不可用、4.7K 或类似值应该是一个良好的起点。