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[参考译文] LM5069EVM-627：LM5069EVM-627

admin
Guru**** 2549960 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069EVM-627, LM5069

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/958456/lm5069evm-627-lm5069evm-627

器件型号：LM5069EVM-627
主题中讨论的其他器件： LM5069

我有一个评估板 LM5069EVM-627浪涌抑制器和反向电压保护。 要打开和关闭它、我想使用来自将会切换的 MCU (3.3V)的信号、MOSFET (2N7002)、就像 LM5069数据表图26中所示。 我会将 MOSFET 的源极连接到与 LM5069相同的 GND。

通过二极管 D1将 GND 连接到 SGND 是否会导致任何问题。 我的设计是24V/22A 热插拔。  

此致、

Davorin Kotnik

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    TI__Guru**** 2549960 points
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    尊敬的 Davorin Kotnik：

    感谢您的支持！

    我看不到任何问题。 来自 MCU 的信号应>二极管 D1压降+ 2N7002的 VT 以禁用 LM5069。  

    此致、Rakesh

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    TI__Guru**** 2549960 points
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    感谢您的快速回复。 但我还有另一个问题。 我的设计需要使用 dv/dt 电路。 所有四个 MOSFET 的栅极都将连接到 dv/dt 电路、该电路与 LM5069连接到同一 GND。 我认为这也没有任何障碍。

    此致

    Davorin Kotnik

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    TI__Guru**** 2549960 points
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    是的。。。 没有问题。

    请分享已填充的设计计算器、以检查 SOA 裕度和原理图以供查看。  

    此致、Rakesh

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    TI__Guru**** 2549960 points
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    e2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_24V_2D00_22A.xlsx

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    TI__Guru**** 2549960 points
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    尊敬的 Davorin Kotnik：

    设计对我来说很好。  

    此致、Rakesh