[参考译文] BQ76952：如何计算 CHG NMOS 和 DSG NMOS 周围的这些电阻器(黑圈)值

尊敬的 Sophia：

电荷泵只能提供有限的电流。  要估算其能力、请查看启动时间并根据 CP1电容器值 i=CDV/dt 进行计算。  使用数据表值、您将得到大约50uA 的电流。 还请记住、电荷泵的效率要求的电流大于其产生的电流。 因此、您需要保持较大的 RGS 电阻器、对于大约2.2uA 的负载、建议使用10M。  FET 的导通来自 CP1电容器中存储的电荷、电荷泵将随着时间的推移补充电荷。  驱动器没有欠压切断、因此如果 FET 负载使电容器显著下降、则可以使用更大的电容器、初始充电和恢复需要更长时间。

数据表显示了100欧姆栅极电阻器的测试条件。  驱动器规格不提供电阻。  系统工程师希望用户从数据表的上升和下降时间中计算有效电阻、并计算新负载的时间。

如数据表中所示、充电驱动器的驱动速度更慢。  由于其范围有限、可以使用较小的值。  对于单个 FET、EVM 原理图中提到和显示的5.1k 值是很好的。 通常、随着 FET 栅极电容的增加、电阻器将变得更小。

放电 FET 驱动器具有更大的范围。  在反向充电情况下、放电 FET 将被拉至低于 GND 的系统电压、而 DSG 输出引脚可以并且不会低于 GND。  在这种情况下、BQ76952无法驱动栅极、因此所示的外部钳位 FET 将栅极保持在源极。 选择的栅极电阻器必须具有电阻和额定功率、以消散在反向充电期间产生的热量。 这通常是一个较大的值。  原理图中所示的拓扑采用肖特基二极管、可使用更小的电阻器更快地关断。  使用100欧姆电阻器可以非常快速地关闭 DSG、但这会激发电芯电感以产生较大的瞬态。  将5k 至7.5k 有效电阻范围内的电阻值调整通常会控制开关速度、以避免单个 FET 出现大尖峰。  使用更大的 FET Ciss 或更多的 FET 时、电阻应更小。 建议使用100欧姆的最小值来限制 IC 引脚中的电流。

当使用小型电阻器实现快速开关时间时、请确保在系统中使用合适的技术、在电感瞬变到达 IC 之前将其抑制。