主题中讨论的其他器件: LM5145、 CSD18563Q5A
你(们)好
您能否帮助检查 TPS40170原理图 以及是否需要进行调整?
1.主从模式下的连接是否正确?
2.是否需要同时设置 SS、RT 和 FB?
输入电容是否足够?
e2e.ti.com/.../RS814_2D00_02_2D00_04.pdf
谢谢
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你(们)好
您能否帮助检查 TPS40170原理图 以及是否需要进行调整?
1.主从模式下的连接是否正确?
2.是否需要同时设置 SS、RT 和 FB?
输入电容是否足够?
e2e.ti.com/.../RS814_2D00_02_2D00_04.pdf
谢谢
您好、Gareth、
以下是有关原理图的一些注释:
考虑使用 LM5145,因为它比 TPS40170具有更高的性能和更低的成本。
移除与 VIN 引脚串联的电阻器、并直接连接到高侧 FET 的漏极(因为这用于高侧 FET 电压感测)。
考虑使用60V 或80V FET 以获得更高的效率、例如 CSD18563Q5A 60V NexFET。 在给定低占空比的情况下、还应使用非对称 FET。
R85电阻器可实现栅源(HDWV 至 SW)、而不是接地。
使用快速入门计算器文件、使用12VDC 下陶瓷输出的降额值检查补偿值。
有关使用4 x 10nF/0603和大量1210S 的功率级布局最佳实践和最佳输入电容器位置、请参阅应用手册 snva803。
此致、
Tim