您好！
我将 ISO5852器件用于1700V SiC (C2M0045170P_CREE)。 拓扑是全桥转换器。
VCC 和 VEE 为+ 15V/-5V、不使用米勒钳位引脚。
当转换器的输入电压 增加时 、发生串扰问题、当下开关打开时、上开关的栅极电压增加。
Jaehhoon、
感谢您的提问。
Ve VEE 和米勒钳位均可防止 MOSFET 误导通。 在 ISO5852S 中、这些功能可以相互配合使用。
米勒钳位的工作方式本质上如下：在关断期间、一旦栅极电压降至低于特定阈值、内部米勒钳位 FET 就会导通、从而为栅极上的 VEE 提供额外的低阻抗路径。
SiC FET 的性质具有非常大的 dv/dt、该 dv/dt 可以通过 FET 上的 CGD 电容器馈送、如下图所示。
在全桥配置情况下、当低侧 SiC 导通 时、高侧的 Vds 以非常高的 dv/dt 上升并通过 SiC FET 的 CGD 电容器耦合、这可能会导致您观察到的误导通。 电路的寄生效应也会加剧误导通。 有时甚至使用外部米勒钳位 MOSFET。
[引用 user="jaehoon Kim"]锁模引脚能否防止串扰？
因此、可以防止"串扰"/错误开启。 这正是它的目的。
我始终认为"串扰"是两条信号线之间的现象、但这种现象通常是由电路其余部分的行为引起的、而不是信号线之间的直接耦合。
如需更多信息、请查看有关驱动 SiC 的重要信息：
添加了"dV/DT 和米勒钳位"部分的链接
下一页显示了有关米勒钳位一般功能的更多信息
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最棒的
Dimitri
