到目前为止,UCC27211 MOSFET 驱动器的运行方式未达到预期。
我们使用具有非对称栅极电阻器的传统 H 桥:
- R_g_on = 4、7Ohm
- R_g_off = 3.2欧姆
但是、高侧在打开后不久关闭和打开(大约50ns 后)。 VDD 在9V 时非常低、但需要限制开关损耗。
MOSFET 为 IPD90N08S405、因此不会有任何难以切换的情况。 唯一的权变措施是将 R_g_on 增加到15欧姆、但开关损耗也相应增加、我们显然符合 UCC27211规范…
我们订购了引脚兼容的 MAX15019、以检查问题是否来自设计。 不过、这不是我们的第一个设计、它遵循了所有经典推荐的设计规则。
在高 dU/dt 期间有噪声的 Vdd 是否会触发 UVLO?
此致、
Bernd