主题中讨论的其他器件:BQ78350、 GPCCEDV、 BQ76940
您好!
我已经完成了 CEDV 所需的6个低/高速率+温度测试、并收到了下面详细介绍的结果报告。 在本报告中、我有2个问题:
1。它说"如果 EDVV 位被设置为1。。。。 "。 这个位是什么? 我认为 BQ78350不存在这种情况... 那么、我是否要将 EMF 和 EDVR0值相乘?
2. EDVR0=94086的报告值超出最大值65535。 我应该在这里设置哪个值?
谢谢、
Marco。
详细报告:
GPC CEDV 工具、rev = 53
当前时基故障中使用的配置
ProcessingType=1
NumCellSeries=1
CellTermV=3000
LearnSOC%=7
FitMaxSOC%=9
FitMinSOC%=3
ChemType=1
ElapsedTimeColumn=0
VoltageColumn=1
TemperatureColumn=2
CurrentColumn=3
由 FIT 生成的 CEDV 参数。 如果 EDVV 位被设定为1、在写入数据闪存时、EMF 和 EDVR0必须被串行电芯的数量乘以
EMF 51954
EDVC0 101
EDVC1 0
EDVR1 1.
EDVR0 94086
EDVT0 5773
EDVTC 9.
VOC75 3935
VOC50 3808
VOC25 3752
EDV2点的建议 SOC 偏差容差在低温条件下小于5%、在室温和高温条件下小于3%
下面给出了每个文件的这组参数的偏差
文件 SOC 错误、通过百分比
roomtemp_lowrate.csv -1.85752477153744 1.
roomtemp_highrate.csv -0.0948588443248651.
hightemp_lowrate.csv -1.66730129255415 1.
hightemp_highrate.csv -0.379089430102143 1.
lowtemp_lowrate.csv -1.68069894084773 1.
lowtemp_highrate.csv 1.65026127901974 1.
偏差在建议范围内。 CEDV 参数适用于对监测计进行编程
由 FIT 生成的 CEDV 参数。 如果 EDVV 位被设定为1、在写入数据闪存时、EMF 和 EDVR0必须被串行电芯的数量乘以
EMF 51954
EDVC0 101
EDVC1 0
EDVR1 1.
EDVR0 94086
EDVT0 5773
EDVTC 9.
VOC75 3935
VOC50 3808
VOC25 3752