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[参考译文] BQ25703A:关于/BATDRV 引脚的驱动容量

Guru**** 1807890 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A, CSD25402Q3A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/956041/bq25703a-about-the-drive-capacity-of-batdrv-pin

器件型号:BQ25703A
主题中讨论的其他器件: CSD25402Q3A

您好!

请告诉我/BATDRV 引脚的驱动能力以及与考虑中的 FET 的兼容性。
输入电压为19V、系统电压为16.8V、使用的电池为4节锂离子电池。

客户正在考虑使用以下 FET。
・TPCA8120
・RS1E260ATTB

1。
数据表具有以下说明。
但是、无法确定是否可以驱动上述 FET。
是否可以驱动上述 FET?

2.
如果/BATDRV 执行最大输出操作、BA25703A 是否有可能不稳定运行?
如果 PCH 栅极无法完全设置为高电平、BQ25703A 会发生什么情况?
请给我建议。

此致、
Yusuke

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    您好、Yusuke -San、

      从数据表中: BATDRV 引脚只能在 Ciss 低于5nF 的情况下驱动电池 MOSFET。 建议使用1nF~3nF 范围内的 Ciss。

    我无法在线找到第二个 MOSFET 选项、但第一个选项具有7820pF Ciss、这将太高。 您还可以考虑 EVM 板上使用的 MOSFET: CSD25402Q3A (Ciss = 1380pF)

    是如果 BATDRV 不能驱动 BATFET、则运行可能不稳定、更不用说不大力驱动 FET 而增加的阻抗、这会导致效率损失增加。

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    大家好、Kedar - San、

    感谢您的盛情款待。
    > BATDRV 引脚只能在 Ciss 低于5nF 的情况下驱动电池 MOSFET。  
    您是如何计算5nF 的?

    >我无法在线找到第二个 MOSFET 选项,  
    我向您道歉、因为您缺乏信息。
    (TPCA8120)
    datasheetspdf.com/.../TPCA8120.html
    (RS1E260AT)
    d1d2qsbl8m0m72.cloudfront.net/.../rs1e260attb1-e.pdf

    >但第一个选项有7820pF Ciss,这将太高。
    >您还可以考虑 EVM 板上使用的 MOSFET:CSD25402Q3A (Ciss = 1380pF)
    感谢您的信息。
    但是、客户应用的放电电流高达20A。
    在此背景下、客户必须考虑导通了低 RDS 的 FET。

    让我再问一个问题。
    客户正在考虑在 PCH FET 栅极和 Sauce 之间安装一个电阻器、以补充/BATD RV 驱动能力。
    由于经过剪切和尝试、客户正在考虑安装4.7kΩ。
    您有这样的使用记录吗?

    此致、
    Yusuke

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    您好、Yusuke -San、

     5nF 在数据表 的9.4.1.1采用窄 VDC 架构的系统电压调节部分中指定。

     我认为、在 PFET 两端添加栅极到源极电阻有助于增强关断功能、如果栅极驱动信号不够强、则会关断 PFET、但这对增强 BATDRV 开启 BATFET 的开启能力没有太大帮助?  

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    大家好、Kedar - San、

    感谢您的友好支持。

    〉我相信、在 PFET 上添加栅极至源极的电阻器将有助于增强关断、
    〉栅极驱动信号不够强、请关闭 PFET、但这对增强 BATDRV 开启 BATFET 的能力没有太大帮助?  

    是的。 客户希望增强关断功能。
    作为背景、客户正在测试电池的取出情况。
    取出电池后、会出现 BATFET 在一段时间内未完全关断的问题。
    由于该问题、VSYS 在电池被取出时会出现故障。

    可以通过在 GATE 和 Sauce 之间安装电阻器来避免此问题。
    因此、我们将研究 GATE 和 SAW 之间的电阻器、以增强关闭 BATFET 的功率。

    由于经过剪切和尝试、客户正在考虑安装4.7kΩ。
    您有这样的使用记录吗?

    此致、
    Yusuke

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    您好、Yusuke -San、

      在栅极和源极之间添加电阻器是提高关断性能的好方法。 这不应存在任何问题、4.7K 或1k 应该足够了。 随时向我提供最新的切入测试结果。