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器件型号：UCC21710-Q1 您好！
我导入了 UCC21710-Q1的 PSpice 模型、注释掉了相关 线程中建议的调用 IXGA8N100模型的行。 我能够将其作为宏导入、但在编译期间遇到以下错误。 您能否建议问题出在哪？
您好！
我导入了 UCC21710-Q1的 PSpice 模型、注释掉了相关 线程中建议的调用 IXGA8N100模型的行。 我能够将其作为宏导入、但在编译期间遇到以下错误。 您能否建议问题出在哪？
感谢您的回答。 实际上，我已尝试重新启动计算机并重新运行，但没有对错误进行任何更改。 我不确定这是否会添加任何有用的信息、但在将 UCC21710-Q1的宏添加到仿真后尝试运行 ERC 时、我遇到以下错误：
我 再次将 UCC21710-Q1的 PSpice 模型导入到 TINA 中。 这一次使用默认形状。 运行 ERC 不会产生错误、而只是以下警告。
但是、编译宏仍然会提供相同的存储器访问冲突、并且瞬态分析不会收敛。
这是我尝试仿真的项目： MOSFETDriverM.TSC。
Ahmed、
我认为我发现了问题、请尝试解决方案、并告诉我它是否适合您。
由于 HV 侧从 LV 侧完全浮动、因此不会发生收敛、COM/VE/VDD 与 GND 之间没有关系。
尝试在 COM 和低电压 GND 之间放置一个电压源(VDC=任意电压)甚至是一个非常大的电阻器、如下所示、然后重新运行仿真。 在进行此更改后、我能够在您的原理图上运行 TRANS/DC silms。
最好
Dimitri
