LM5170为测试短路 MOSFET 而执行的初始故障检查似乎是一项有用的功能。 但是、LM5170数据表指出:"如果断路器不存在、或者断路器 FET 不受 LM5170-Q1控制、则必须停用故障检测机制。" (请参阅数据表/TI 文档 SNVSAQ6B 的第8.3.16节。) 断路器功能在我的应用中是不可行的。 我希望能够在不使用断路器驱动器的情况下使用故障检测机制。
数据表未提供有关无法实现这一目标的原因的说明或详细信息。 E2E 论坛上的其他主题建议故障检测需要测试功率级 MOSFET 和断路器 MOSFET、数据表中指出、BRKG 至 BRKS 电压必须上升到8.5V 以上、然后 LM5170才能进入待机模式(数据表的第8.3.16.2节)。
从 LM5170内的栅极驱动器的角度来看、断路器 MOSFET 似乎只是一个电容器(例如、栅极电容)。 BRKG/BRKS 两端的电容器是否可用于模拟实际的 MOSFET? 这似乎为视在栅极电压上升到数据表中所述阈值以上提供了一种方法。
谢谢、
M. Johnson