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器件型号：ISO5852S 大家好、
您是否有 ISO5852S 驱动并联 SIC 的参考设计？
您能否帮助评论如何配置 ISO5852S 的过流阈值？
谢谢。
此致、Sunny
阳光明媚、
我们没有用于驱动并联 SiC 的 ISO5852S 参考设计(每个驱动器驱动2个 FET)、但可以这样做。 如果 ISO5852S 无法为并联情况提供足够的驱动电流、则可以使用外部缓冲器(推挽)来提高驱动强度。 或者、可以使用具有更高驱动电流的 UCC217xx 系列。
对于第二个问题、如果您询问如何使用"短路"检测 DESAT 保护阈值确定、请记住它基于电压、而不是完全基于电流。 DESAT 检测 FET 的"去饱和"、这在 SiC 上没有那么有效。 基本上、它检测到 VDS/VCE 从饱和区中增大。 就发生这种情况的 IDS 电流而言、它将取决于驱动电压下的设备 IDS/VDS 曲线。 这可能在 FET 数据表中提供。
可 在此处的数据表中计算 DESAT 检测阈值。
如果需要基于 OC (串联电阻)的检测、则 UCC217xx 系列可能比 ISO5852S 更适合。
相反、如果您询问如何确定某个配置(栅极电阻器+ FET)是否会超过 ISO5852S 的驱动电流额定值、下面的技术手册中提供了一种估算方法。
IOH/IOL 电流技术手册
在下面的等式中、突出显示的值应该从数据表中更改为 ISO5852S 的峰值/最大值。 还应计算热性能。 可能低于峰值驱动电流限制、但仍超过温度
如果您有任何疑问、请告诉我。
最好
Dimitri
