您好 、Waqar hyder1、

欢迎使用 e2e！

为了实现反极性保护、该器件需要在 IC 的 GND 路径中具有反向电流阻断功能+二极管、以阻断反向电压。

TPS25942集成了反向电流阻断 FET、因此在 GND 路径中只需一个信号二极管即可保护自身免受反向偏振的影响。

另一方面、TPS259230未集成反向阻断 FET。 因此、您需要在 IC 的 GND 路径中使用外部反向阻断 FET +信号二极管/FET。

我们最新的器件 TPS25947x 完全符合您的要求。 它集成了反向电流+反极性保护。 因此、您不需要外部组件。 TPS25947x 可在高达(VOUT–19V)的输入端承受负电压。

请告知我们您对 TPS25947x 的反馈

感谢您的回答  

我们的应用需要符合汽车标准的器件、因此我们为应用选择了 TPS25940-Q1版本。  

您推荐的器件是否具有符合 AEC 标准的版本和5.5A +电流容量？

您好、Waqar、

建议的器件 TPS25947未通过汽车认证。 您选择的 TPS25940器件符合汽车标准、是您的应用的理想器件。

为了实现反极性保护、您可以在 GND 路径中使用信号二极管、如下所示。

谢谢、您还能为接地路径中的二极管推荐一款符合汽车标准的器件  

您好、Waqar、

我们可以在所需的二极管规格上为您提供支持、但不能在确切的器件型号上提供支持。

您需要使用前面共享的图像中指定的30V、0.2A 二极管。  

FET 而不是二极管是否是更好的选择？ 有什么折衷？ 我想既然这是在接地路径中而不是信号路径中，那么通过二极管的功率损耗就没有问题了？

您好、Waqar、

是的、您可以使用 FET 代替二极管。 您获得的优势是低压降。  

如果使用二极管、则功率损耗不应像您提到的那样成为问题。   

您能否再次澄清二极管规格，30V 是指反向击穿电压，0.2A m 是指 IR 或最大反向电流？