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[参考译文] UCC21710-Q1:晶体管连接

Guru**** 1831610 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21710, UCC21710-Q1, UCC21732-Q1
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/905666/ucc21710-q1-transistor-connection

器件型号:UCC21710-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC21710UCC21732-Q1

你好、

我找不到有关如何将多个晶体管连接到 UCC21710的栅极驱动器(clmpi 引脚)的任何信息。 请帮帮我。

谢谢、

Daria

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    Daria、

    很抱歉,我不明白你的意思

    [引用 user="Daria Kiseleva"]将多个晶体管连接到栅极驱动器(clmpi 引脚)

    您是否提到了在使用外部缓冲器(通过 BJT)增加驱动强度时如何使用连接?

    最好

    Dimitri

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    您好、Dimitri、

    我的一位客户计划使用 UCC21710-Q1、他们连接了2个 SiC MOSFET、如下面的原理图所示。 问题是在本例中 clmpi(7)的连接是否正确。 谢谢你。

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    Daria、

    感谢您提供原理图!
    我们不建议对 CLMPI 引脚串联任何元件、我注意到原理图中有二极管 VD3-VD6。 这至少会导致米勒钳位在每个周期早些时候由于二极管的 Vf 而导通、并且可能还会导致其他问题。

    我建议移除二极管、并将两个栅极直接连接到 CLMPI。 采用这种配置时、应特别注意确保两个驱动器具有几乎相等长度/对称的栅极导通、关断和钳位路径布局

    寄生电感可能导致并联 SiC FET 栅极开始与大于1的增益相互振荡、从而损坏栅极。 因此,在驱动并联时,通过布局尽可能降低电感是当务之急。 建议将栅极电阻器放置在尽可能靠近栅极的位置。 并尽可能缩短 CLMPI 布线长度、并确保这对于两个 FET 也是对称的。

    另一种选择是采用 UCC21732-Q1、后者具有外部米勒钳位。 可以为每个栅极使用两个不同的外部 FET、这可能是一种更好的方法。 唯一的差异是钳位电压在栅极驱动器的输出引脚上测量、而不是直接在栅极上测量。 分离钳位 FET 可确保这些栅极尽可能保持隔离、 这在使用时无法通过 UCC21710-Q1实现

    还有其他方法可以防止并联 FET 驱动出现问题:1)放置在漏极和栅极之间的电阻器2)放置在漏极和栅极之间的电容器、但它们会导致效率损失并限制开关频率。 作为"最后手段"、只有当振荡出现问题时、才能在每个栅极上放置铁氧体磁珠。

    我希望这对您有所帮助、如果您对此有任何后续行动或其他问题、敬请告知!

    最好

    Dimitri