[参考译文] UCC28951：MOSFET 的功率预算

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器件型号：UCC28951

要计算每个 MOSFET 的功率耗散、请使用数据表中的 QA、QB、QC 和 QD 等式(59)。它使用 I_PRMS 电流来计算功率耗散。要计算出 eqation (60)中的总值、请将其乘以4。这是怎么做的？每个 MOSFET 仅在一半的周期内导通。

如果周期 I 拆分为：能量传输 QA-QD、被动 QA-QC、能量传输 QC-QB、被动 QD-QC (不包括 ZVS)(training.ti.com/.../how_to_design_multi-kw_converters_for_electric_vehicles_part_6_-_how_the_psfb_works.pdf )

如果使用 RMS 初级电流来计算等式(59)中的功率耗散、则不应将其乘以等式(60)中的2、因为该电流仅同时通过2？

0 admin 5 年多前

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您好 Sigurd、

一位专家很快会回来的！

0 admin 5 年多前

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您好！

根据 RMS 电流计算 FET QA、QB、QC 和 GD 的功率损耗是正确的、应乘以4。每个 FET 的 RMS 电流是相同的、并基于 FET 的导通和关断时间。

此致、

0 admin 5 年多前

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您能更详细地解释一下吗？流经初级侧的 RMS 电流会同时流经 MOSET 2。第一个 QA 和 QD、第二个 QA 和 QC、第三个 QC 和 QB、第四个 QB 和 QD。

因此、如果我采用一个周期、电流将仅流入、例如、QA 半个周期。当同时仅使用两个时、这如何导致一次侧 RMS 电流乘以四的功率耗散？我知道每个 MOSFET 导通时的功率耗散是主要 RMS 电流* VRDSON (和栅极电荷)，但并非始终如此？

请详细说明。

-Sigurd

0 admin 5 年多前

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您好！

我对此进行了一些思考。我认为您是正确的、应该已经两次了。因此、损耗被高估了系数2。

我现在将让适当的团队来解决这个问题、以便他们可以在时间允许的情况下进行研究。

该工具过度估算功率损耗、因此、如果您使用的是系数4而不是2。您的设计应该更高效。

此致、

Mike

电源管理（参考译文帖）(Read Only)