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器件型号：LMG1210 您好！
我们正在设计基于 GaN FET 和 LMG1210的150V 三相逆变器。 开关频率将为100kHz。 由于空间限制、我们无法将栅极驱动器和 GaN FET 置于同一 PCB 侧。
电流布局建议将 GaN FET、电流感应电阻器和去耦电容器置于同一侧、而栅极驱动器和自举二极管位于对面。 为了最大程度地减小栅极和源极电感、我们将并联多个过孔、每个过孔的最大估算电感为0.15nH。 请参见随附的图
您是否认为此布局会导致许多有关振铃或振荡的问题？
感谢你的帮助！
