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器件型号：BQ24780S 您好！
在充电行为测试期间、我们发现低侧栅极的上升速度稍微慢一些、如下所示。 这是否有任何问题或风险？
谢谢。
安东尼
案例1：充电电流为0.5A (无系统负载)
CH1：低侧栅极 CH3：SW
案例2：
充电电流为5.5A (无系统负载)
CH1：低侧栅极 CH3：SW
您好！
在充电行为测试期间、我们发现低侧栅极的上升速度稍微慢一些、如下所示。 这是否有任何问题或风险？
谢谢。
安东尼
案例1：充电电流为0.5A (无系统负载)
CH1：低侧栅极 CH3：SW
案例2：
充电电流为5.5A (无系统负载)
CH1：低侧栅极 CH3：SW
您好、Anthony、
最重要的参数是 SW 节点转换所需的时间。 如果时间过长、则效率会降低、甚至会烧毁 FET。
以下是 EVM 的捕获：
SW 节点转换大约需要20nsec、栅极转换总共需要40nS。 采集速度比这慢、因此您的效率会降低、并且可能会出现热问题。
您是否检查了您将使用的 FET 与 EVM 相对的栅极电荷？
此致、
Steve
