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[参考译文] LM5046:电源管理论坛

Guru**** 2574415 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5046, UCC28951, LM5035, LM5045, LM5036, LM25037

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/903642/lm5046-power-management-forum

器件型号:LM5046
主题中讨论的其他器件: UCC28951LM5035LM5045LM5036LM25037

大家好、

我是 PSFB 拓扑的初学者、但我必须使用它设计升压转换器。 我的输入电压范围为40V 至60V、输出电压为400V、输出功率为1kW。

我只能找到用于升压应用的 PSFB 的极少示例、但我几乎确定它是正确的拓扑。 但是,LM5046控制器呢? 它是否适合我的应用?

让我们假设我一直到这里、我会遇到设计问题。 执行 ZVS 的条件之一由以下公式给出:

当 C_r 为3nF 时、如果 我希望 ZVS 在50%负载时达到大约50nH、这会导致所需的漏电感! 实际上不可能具有如此少的漏电感。

如果我想在10%负载时获得 ZVS、我将需要1.8uH 的漏电感。 与我在 UCC28951 数据表 (第46页)中找到的数据相比、它看起来仍然很弱  

因此、我认为我有问题。 你有什么想法吗?

非常感谢你的帮助

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    你(们)好

    PSFB 和 HSFB 都将输入电压提升至更高的输出电压-这取决于变压器匝数比。

    该等式是一个不等式-它计算实现 ZVS 所需的最小泄漏电感、但在获得大于最小值的电感方面没有真正的问题-甚至明显大于最小值是可以的。 随着漏磁电感的增加、H 桥改变变压器两端电压的极性时、初级侧电流反向所需的时间也会增加。 在这段时间内、没有能量从初级侧传输到次级侧、因此术语"占空比损耗"有时用于描述其影响。 占空比损耗限制了您可以在电桥上获得的最大占空比、但这通常不是问题。

    实现 ZVS 所需的漏电感不是所用控制器的功能-它由开关节点处的电容和电桥上的电压决定。 因此、LM5046的计算方法与 UCC28951的计算方法相同。

    最后、在类似您的低输入电压下、ZVS 的优势可能非常小、实现 ZVS 所需的循环电流所导致的损耗可能超过 ZVS 所带来的节省。 因此、硬开关全桥(HSFB)是一种值得考虑的替代方案。 LM25037、LM5045、LM5036和 LM5035都是值得一看的器件-不过您需要在其中的一些器件中添加外部驱动器。

    查看可从 www.ti.com/.../POWERSTAGE-DESIGNER 获取的功率级设计器工具

    它允许您比较 HSFB 和 PSFB 电流(主要是变压器 I_pri 和 MOSFET 电流)、并为您提供有关组件选择的一些指导。

    此致

    Colin

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    您好!

    非常感谢您的回答、您为我提供了非常重要的细节、使我无法在信任的情况下取得进展

    [引用用户="Colin Gillmor">最后、在像您这样的低输入电压下、ZVS 的优势可能非常小、由于实现 ZVS 所需的循环电流而导致的损耗可能超过 ZVS 带来的节省。 因此、硬开关全桥(HSFB)是一种值得考虑的替代方案。 LM25037LM5045LM5036LM5035 都是值得一看的器件-尽管您必须在其中的某些器件中添加外部驱动器。[/QUERP]

    您是对的、但我也选择了这种拓扑、因为我们面临严重的 EMI 限制

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    你好、Anthony

    EMI 始终是一个重要的考虑因素!

    如果您有任何疑问、请再次联系我们。 现在、我要关闭这个线程。

    此致

    Colin