[参考译文] TPS63810：Vout&gt；VIN、旁路以实现最低功耗

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/903635/tps63810-vout-vin-bypassing-for-lowest-power-consumption

器件型号：TPS63810
主题中讨论的其他器件：LM66100、

尊敬的 TI 团队：

在电池大部分时间都能提供必要功率的应用中、11uA 最低 IQ 仍将是一个重要的数字。

如果 VIN=EN=0V 并且 Vout、例如3.7V、会发生什么情况？在 d/s 中、仅针对 PWM 运行提到了反向电流。

如果需要某种理想二极管、可以简单地将 LM66100与 Vout 串联、这样做吗？

如果将其添加到 TPS63810附近、是否需要电容器？输出电容高(LTE-M 蜂窝调制解调器、约800uF)

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2782475 points

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尊敬的 Chris：

感谢您的联系。

如果您禁用器件(EN=0)、输出将处于高阻抗状态、它将悬空。如果您对输出施加电压、只要施加的电压在建议的工作条件下、就会产生少量的泄漏电流。 μA 未 μA 此泄漏电流的详细特性、但如果在 VOUT 施加3.3V 电压、同时 VIN=EN=0、则室温下的反向泄漏电流通常为0.1 μ A、在整个推荐范围内的最大值为1 μ A。当 VOUT = 3.7V 时、该值应略高。

因此、您无需使用二极管来提供反向电流保护。

此致、
密耳

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2782475 points

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棒极了、Milos、谢谢。我想、该 IC 非常适合我们当时的用例。

对于我们的高输出电容、如果调制解调器及其电容器位于外部板上、1x 22uF Cin 和1x 22uF 是否正常？

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2782475 points

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尊敬的 Chris：

μF 的最小输入有效电容为5 μ F。 μF 侧的22 μ F 电容器可能还可以、但请检查您所使用的电容器的电压降额。

μF 输出、我们建议将最小13 μ F 的有效低 ESR 电容尽可能靠近 VOUT。请告诉我、您在3.7V 电压轨下游有什么？什么类型的电容器(陶瓷/ Elko/钽电容器)、标称值以及它们的距离？

此致、
密耳

电源管理（参考译文帖）

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