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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/901847/bq40z80-exceeding-the-fet-rating-during-a-short-test
我们将对 BQ40Z80进行短路保护实验。 电路板是由我们制作的。 在电流恒定的情况下、DiscchgFET 的下降时间很慢。 是否有办法使下降速度更快？ 已移除封装引脚 C6。 R18从4.02k 更改为100Ω Ω。 R4从10M 更改为1M。
此致
西崎
您好、Nishizaki、
请勿两次发布您的问题。 我要关闭这个。
Andy
