主题中讨论的其他器件:LM61460-Q1、
大家好、团队、
我有关于 LM61460-Q1 EVM 的一些问题。
问:关于 RBOOT 电阻器、我认为添加 RBOOT 电阻器会降低 FET 导通压摆率、那么噪声将变得很小。 另一方面、添加缓冲电路也会提高噪声性能。 您是否知道 RBOOT 电阻器和缓冲器电路的效率分别如何? 或者在添加 RBOOT 电阻器或添加缓冲器电路时是否存在任何噪声数据。 客户不想在可能的情况下添加缓冲电路。 这是因为缓冲电容器短路可能会导致故障。 因此、客户想知道 RBOOT 电阻器 对于提高噪声性能有多大的有效。
问:对于 L1、LM61460EVM 使用4.7uH 绕组电感器。 但客户希望使用多层电感器来缩小尺寸。 问题是他们找不到多层电感器、它在市场上具有4.7uH、4a>额定电流。 因此、他们计划为 L1选择1.5uH、4a>额定电流电感器。 在这种情况下、是否存在影响输出稳定性或振荡的问题?
谢谢、
Yuta Kurimoto