[参考译文] BQ25713：在 HIDRV1和 HIDRV2处观察到更高的电压。 它是否会损坏 MOSFET？

我们测量 PGND 和 TP13以了解 Vgs、这是错误的。 当我们在 HIDRV1 MOSFET 的 Vgs 上观察到信号时、EVM 中的电压大约为8.4V。 但在我们的定制设计中、我们无法写入"充电电流寄存器"、当我们读回它时、它显示为0000 (其余所有寄存器均已设置、我们可以读回它们)。  

原理图：  

CHG_IN 是具有12V 输入的电源。 我们观察到 Q6的漏极和源极在第一次上电后短路。 我们将观察电路中几 Hz 的可闻滴答噪声、我们将从何处进行研究。 在使用充电电流对 BQ25713进行编程之前、没有问题。 请注意，我们使用的是 NMOS RQ3E100BNTB，而不是 CSD17551Q3A (在 EVM-017中使用) 。 除此之外、该原理图非常靠近 EVM。   

以下是示波器中观察到的信号：

红色信号是 LODRV1的输出、另一个信号来自 HIDRV1。  

尊敬的 Ravikumar：

  LSFET 将由 LODRV 驱动、LODRV 将在 REGN 和 GND 之间切换/关闭、以开启低侧 NFET。 HIDRV 由 VIN + REGN 驱动、因为 HIDRV 电路包含 BTST 电压。 BTST +板充电至 REGN、而-板保持 SW 电势。 因此、我们可以使用正 VGS 驱动高侧 NFET、因为 S = SW、G = HIDRV 且 HIDRV = REGN + SW。 VGS 限制为 REGN 电压、该电压将低于 MOSFET 的20V VGS、因为您必须查看相对于源极电压的栅极电压、而不是相对于接地的栅极电压。

我建议首先在 EVM 上进行测试、以观察预期的行为。

您好 Kedar、

感谢您的深入见解。  

你正在处理我们一方已经解决的误解。 这里的问题是、在我们将充电器插入定制板后、降压侧的高驱动 MOSFET 会出现问题。 我们的原理图与 EVM 完全相同、只是 MOSFET 发生了变化。 我们应该在 EVM 和电路板之间比较哪种行为？

请验证我们的电路、如果您可以解决一些设计问题/更改、将会有所帮助。 此外、我们还可以共享布局、请告知我们实现此目的的最佳格式。

此致、

Ravikumar G.

Damian Lewis 、您能不能对其进行深入研究？

抱歉、Ravi、我不支持充电器产品。 请与 Kedar 合作以解决问题。

好的、Damian。 感谢您的回答。