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器件型号：BQ77915 您好！
我已经介绍了堆栈实现应用报告 SLUA906 - 2020年1月。 我已经注意到顶部器件和中间器件之间的以下差异、这真的是正确的吗？ 对于顶部器件，LD 引脚和 VSS 之间连接1兆欧电阻器，对于底部器件，1兆欧电阻器在和10K、10M 通过 LD 引脚连接。 2.如果正确，在堆叠4台设备时，是否可以使用相同的中间设备配置？
您好！
我已经介绍了堆栈实现应用报告 SLUA906 - 2020年1月。 我已经注意到顶部器件和中间器件之间的以下差异、这真的是正确的吗？ 对于顶部器件，LD 引脚和 VSS 之间连接1兆欧电阻器，对于底部器件，1兆欧电阻器在和10K、10M 通过 LD 引脚连接。 2.如果正确，在堆叠4台设备时，是否可以使用相同的中间设备配置？
谢谢 Shawn、
请再来一个问题。 在我的设计中、DSG MOSFET 更靠近器件、但正如您在下图中看到的、CHG MOSFET 略远
1.这是可以的吗？
2.我应该将 CHG 电阻器放置在靠近 MOSFET 或器件的位置吗？
