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器件型号：CSD19534Q5A 尊敬的*：
在 DS 中、PD 3.2W 和63W 有一个 RE 2值、您能解释这两者之间的区别吗？
如果封装安装在 PCB 上，则会耗散3.2W，如果我们添加被动冷却，则会耗散高达63W？
此致、
David。
尊敬的*：
在 DS 中、PD 3.2W 和63W 有一个 RE 2值、您能解释这两者之间的区别吗？
如果封装安装在 PCB 上，则会耗散3.2W，如果我们添加被动冷却，则会耗散高达63W？
此致、
David。
尊敬的 David：
感谢您关注 TI FET。 数据表中指定的 PD 值是根据结温和热阻抗计算得出的。 63W 数字使用结至外壳热阻抗、并假设外壳温度保持在25摄氏度、这需要"无限"散热器才能实现。 3.2W 数字使用结至环境热阻抗、假设环境温度为25摄氏度。 下面的链接解释了 TI 如何为我们的 FET 规定最大电流和功率耗散。 第二个链接提供了有关 TI FET 封装最大功耗的"经验法则"指南。
