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[参考译文] BQ24770：BQ24770开关降压效率

admin
Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24770

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/947111/bq24770-bq24770-switching-step-down-efficiency

器件型号：BQ24770

你(们)好 我们使用的是 BQ24770、如 PDF 数据表、图21 (EVM 模块)中所示。 电池被上拉。 编程的充电电流为3A、电压限制为15V。 电源电压为24V。 当在输出端连接负载(电池)时、我们观察到 Q5显著升温(热)。 我们使用示波器测量了 HIDRV 和 LODRV。 我们在 HIDRV 上看到矩形波形(我们预期会出现这种波形)、但 LODRV 始终处于低电平。 这使得 Q5二极管具有~0.7V 压降、我们在这里观察到~2W 的功率损耗。 但是、在开路(输出端无负载)的情况下、示波器会在 HIDRV 和 LODRV 上显示偶发脉冲。

在电池充电期间 LODRV 一直处于低电平的原因是什么？ 根据 PDF 数据表、还应驱动低侧 MOSFET 以降低功率耗散(提高效率)。

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Pawel、

    我在运行条件(电芯上拉至高电平、VBUS = 24V、ChargeCurrent ()= 3A、ChargeVoltage ()= 15V)下的 EVM 上对此进行了测试。 但是、我无法重复您的问题。 HIDRV 和 LODRV 均处于切换状态。 下面的波形显示了相位节点和 LODRV。

    您要在 BQ24770 EVM 上进行测试、对吧？ 您能否共享寄存器设置和波形？ 此外，您能否尝试其它 ChargeCurrent()设置来查看 LODRV 是否始终为低电平？

    最后、我想指出、24V 输入超出 EVM 的建议工作条件、如下表所示。 建议不要超过23V

    此致、

    Angelo

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    安吉洛

    首先、感谢您的快速响应。 说实话、我们没有使用 EVM。 我们有自己的设计、实际上是复制/粘贴参考设计。 差异很小。 我们不会监控输入电流、因此我们在输入端进行了直接连接、而不是分流电阻器(在 BQ24770 pdf 中、图21为"RAC")。 因此、ACN 和 ACP 引脚连接在一起并连接到"AC"线路、在我们的案例中为+24V。 这种行为的原因是什么？

    该电路的功能正常-通过 SMBus 设置输出电流和最大电压。 该问题仅与低侧 MOSFET 发热有关。

    选项寄存器的转储如下：

    ChargeOption0：0x654E
    ChargeOption1：0x0A10
    ChargeOption2：0x00C0

    已尝试12V、15V 和18V 电压的所有组合、电流为500mA、1A、2A 和3A。 都会产生影响。

    Pawel

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    大家好、Pawel、

    感谢您提供相关信息。 您的寄存器设置看起来不错。 由于您不使用 EVM、您能否共享原理图以便我验证您的电路？

    另请捕获一个波形、显示相位、HIDRV、LODRV 和电感器电流在同一范围内。

    [引用 user="Pawel Certn1"]

    已尝试12V、15V 和18V 电压的所有组合、电流为500mA、1A、2A 和3A。 都会产生影响。
    [/报价]

    为了确保我理解、LODRV 在这些测试条件下始终为低电平。 然而、在空载条件下、HIDRV 和 LODRV 都偶尔出现脉冲、对吧？

    此致、

    Angelo

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    我们的管理团队不愿意分享原理图。

    但是、我们设法安排了 TI EVM。 在我们短接输入分流电阻器(在 EVM 原理图中标记为"r1")之前、它一直正常工作(说实话、实际上是并联的 C14电容器)。 之后、我们的行为与我们自己项目中的行为完全相同-当 输出端连接了大量负载时、不会驱动低侧 MOSFET、并会显著升高。 一旦消除短路、EVM 就会恢复正常运行。

    基本上、我们现在已经有了解决问题的方法-我们可以在项目中添加输入分流电阻器并将 ACP/ACN 连接到其终端。

    现在的问题是、如果我们可以在不监控输入电流的情况下解决该问题、即不在设计中添加等效的 R1？


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    TI__Guru**** 2390755 points
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    大家好、Pawel、

    感谢您分享您对 EVM 的观察结果。 您的描述与 BQ24770在轻负载下运行的情况一致。 由于 ACP 和 ACN 短路、因此 ACP-ACN 上的压降低于轻负载阈值：

    以下 E2E 主题讨论了完全相同的行为、其中 ACP 和 ACN 短接在一起、导致 LSFET 从不开启：

    https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/763786

    无法禁用轻负载比较器、因此我认为您需要添加 RAC 输入电流感应电阻器以避免这种行为。

    此致、

    Angelo