尊敬的团队：
我们将 UCC21222QDQ1半桥 IC 用于三相逆变器配置。
我们使用4个并联 MOSFET、并关注栅极驱动接口的电源电流要求。
开关频率为10kHz、VDC 为48V、单个 MOSFET 的总栅极电荷为200nC
我能否将单个 MOSFET 的栅极电流视为(4 x 200nC) x 10kHz = 8mA
因此、每相总电流= 16mA、对于所有3相、总电流= 48mA
请注意、这是有效的(或)设计15V 电源时可以考虑的电流是多少。
此外、是否需要任何其他衰减？
大家好、Mohan、
我是高功率驱动器团队的应用工程师、可以帮助回答您的问题。
有关计算单个 FET 的栅极电流、请参阅 UCC21222-Q1数据表(链接)中的第9.2.2.6节。 可以根据您的问题中的设置调整此公式。 UCC21222-Q1能够分别拉/灌入4A/6A、以驱动 FET 的容性负载。
我看不到您的旁路电容器有任何问题、建议在对这些组件进行布局时将这些电容器尽可能靠近驱动器引脚(VDDx-VSSx)放置。
如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？ 如果没有、请随时跟进更多问题。
此致、
Liban Hussein
在此处查看我们有关高功率驱动器的培训系列！ 这些视频非常适合任何人、涵盖从基础知识到各种电源系统设计注意事项的所有内容。
转到任何产品页面中的"设计和开发"选项卡、快速开始您的设计！
大家好、Mohan、
我还想提一下以下几点：
UCC21222-Q1能够分别为每个通道提供/灌入4A/6A 电流、以驱动 FET 的容性负载。 根据原理图、高侧 FET 之间分布的峰值电流可通过 IPEAK = DQ/dt (GATE、ON)进行计算。 峰值电流可使用 DQ 作为总栅极电荷(在本例中为800nC)、然后除以 FET 导通/关断时间。 请参阅以下有关栅极驱动器峰值电流的技术手册(链接)。 该值必须处于驱动器能够提供拉电流/灌电流的峰值电流范围(+4A/-6A)内。
您问题中的计算结果是连续平均电流、而峰值电流不是连续的、会在栅极信号的上升沿和下降沿发生。
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此致、
Liban Hussein
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大家好、Mohan、
感谢您的跟进。
在前面的问题中，您提到了用于计算的“单个 MOSFET 的栅极电流”，但将其乘以4。 我相信您打算说四个 MOSFET 的栅极电流为8mA。 是这样吗？ 如果是、则总电源电流的计算结果为48mA。 在设计电源时、建议为系统正常运行提供一定的裕度(大于计算得出的48mA)、并可通过仿真验证这一点。
您的 VDD 纹波是否存在导致您选择如此大的高侧电容器的问题/限制？ 您能否在原理图中提供 FET 的器件型号？ 我注意到 VDDA 电容器(自举电容器)的值明显大于 VDDB 电容器的值。 我们建议 VDDB 电容器至少比自举电容器大10倍、以便在充电序列期间正确地为自举电容器充电。 您可以参阅以下有关自举组件选择和注意事项的应用报告(链接)。
另请记住、在上一篇文章中、IPK=DQ/dt (GATE、ON)=C dv/dt。 看起来我之前发布的峰值电流链接已失效，因此我已在此响应中附加了更正后的链接以供您参考(链接)。
此致、
Liban Hussein
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