请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ25898D 尊敬的 TI 团队：
不同电池电压条件下的 SYSOVP 触发阈值如下：
1)在 VSYSMIN 调节(VBUS <VSYSMIN), SYSOVP triggers typically at VSYSMIN+350mV.
2)不在 VSYSMIN 调节(VBAT>VSYSMIN)中、SYSOVP 通常在 VBAT+350mV 时触发。
我对 SYSOVP 有一些疑问：
1).触发 SYSOVP 后、不同电池电压条件下的恢复 SYS 阈值是多少？
2).在 CC/CV 充电状态期间、BAFTET 完全打开。
(1)当 ISYS 大幅下降时、SYS 电压将增加、并且它将产生大量流入电池的充电电流。 电池有损坏风险。 对吧？
(2)由于 BATFET 完全打开、SYS 电压将被钳位到 VBAT+ICHG*RDSON_BAT。 因此它不会触发 SYSOVP。 对吧？
3)。 SYSOVP 可能发生在哪个充电状态？ 预充电？ 抄送？ CV？ 终端？
非常感谢！
BR
十一
