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器件型号：BQ77915 尊敬的论坛：
我想问为什么'77915 SCD 这么长(1msec)？ 我的 MOSFET 烧毁了：((我没有检查安全工作区、仅检查峰值脉冲电流)。
我的经验是、使用 PowerSO-8 (TDSON-8) MOSFET 和5芯设计时、由于反应时间长(过度分解)、一个串联 FET 开关电路是不够的。
换句话说、如果 SCD 较短、则可以使用单个(或较小) FET。
对于使用并联 FET 的堆叠应用(更高电压->更大的短路)而言是强制性的、但应用手册没有提及。
FET 上的电压为2V (Rdson 和电池组+短路电阻之间的分压器作用)。 我想50、100、us SCD 将被接受。
我能否减少 SCD 反应时间、允许使用单个 FET、因为我的电路板空间非常有限(不能放置并联 FET)。
Joseph
