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[参考译文] MOSFET

admin
Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD88539ND, CSD87502Q2

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/937426/mosfet

主题中讨论的其他器件：CSD88539ND、 CSD87502Q2

大家好、

我的客户正在寻找 MOSFET。

客户目前正在使用 Toshiba 的 TPCP8204 x 3件。 客户希望将其替换为我们的 MOSFET。

如果可能、客户希望将3pcs MOSFET 整合为1pcs MOSFET、因此 PD 需要三次。 它们需要两种类型的 VDSS、一种是30V、另一种是40V 以上。

请告诉我推荐的器件吗？

此致、

山口

 

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    山口 San、您好！

    感谢您 向客户推广 TI FET。 我们最接近 Toshiba 器件的交叉点是 CSD87502Q2。 这是一款采用2x2mm SON 封装的30V 双路 NFET。 TI 在单个封装中不会制造超过2个 FET、而且我们没有任何额定电压为40V 的双 FET。 另一个唯一的选择是采用 SO8封装的 CSD88539ND 60V 双路 FET。 请注意、必须使用 VGS >= 6V 来驱动此器件。

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John-San、

    感谢您的建议。  

    很抱歉我的问题不清楚。 客户不需要双通道或三通道 MOSFET。 客户需要单通道 MOSFET、它可以处理比  TPCP8204三倍的功率耗散。 您是否拥有具有30V 及以上40V 的高功率 MOSFET？

    此致、

    山口

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    山口山口-圣、您好！

    很抱歉我有误解。 TI 有许多 MOSFET 封装选项、包括2x2mm、3x3mm 和5x6 SON 和 D2PAK。 功耗比 Toshiba 器件大的应用。 我在这些封装中搜索了额定电压为30V 至60V 的 FET、在 VGS = 10V 时搜索了最大电阻为10m Ω、并在随附的电子表格中找到了47个器件型号。

    为了缩小选择范围、我需要有关应用和要求的更多信息。 是否存在空间限制、是否首选封装类型和尺寸？ 这是开关模式(即电源或电机驱动)还是负载开关/热插拔/ OR'ing 应用？ FET 需要导通多少电流(直流或 RMS)？ 客户是否具有最大 RDS (on)目标？ 栅极驱动电压是多少？ 您还可以分享其他任何要求吗？

    e2e.ti.com/.../FETs_5F00_for_5F00_Yamaguchi.xlsx

    在下面、您可以找到一个技术文章的链接、该文章详细介绍了 TI MOSFET 封装中可耗散的最大功率。