Other Parts Discussed in Thread: LM5116
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LM5116 您好、先生、
软启动期间(通过 LM5116的 EN 引脚接通)。 最初、IC 将提供高侧栅极脉冲、低侧栅极脉冲将处于二极管仿真模式、然后低侧栅极脉冲将出现(针对输出电容器充电持续时间)、并且由于未连接负载、它将返回到二极管仿真。
导通期间的死区时间如下所示：
刻度为100ns/div、黄色为高侧栅极脉冲、绿色为低侧栅极脉冲(同步)。
这种死区时间是否会导致高侧 MOSFET 在导通期间出现故障？ 增加软启动有助于改善这些条件。
谢谢、
Nesh
