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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/947092/lmg1210-using-half-bridge-driver-in-push-pull-common-gan-fet-grounds-configuration
我打算使用 LMG1210来驱动推挽配置中的双 GaN FET PA。 数据表没有提到以这种方式使用器件、我想知道这样做是否有任何问题。 具体而言、如何处理 BST 引脚？
尊敬的 Patrick：
感谢您的联系。
看起来图像没有附加。 如果可用、您能否共享暂定原理图和/或方框图。
我假设您打算使用高侧和低通道来驱动 GaN FET 的互补栅极、在这种情况下、需要考虑的事项很少：
高侧通道 HO 以 HS 引脚为基准、但由于您不在桥式拓扑中使用 IC、因此可以将 HS 连接到 GND (GaN FET 的源极)
在自举配置中、HB-HS 电容器通常为高侧通道提供偏置、但由于 FET 以 GND 为基准、因此您可以将 BST 连接到 HB、从而允许 Vin 通过内部 FET 提供偏置。
3.确保所有信号均处于 IC 的建议工作条件内。
您可能还会考虑使用 LMG1020的2 IC 解决方案。
此致、
-Mamadou
很抱歉、原理图没有显示。 我附上了示例电路的 PDF。
LMG1210的重要特性是能够调节死区时间、以便我能够实现所需的37%占空比、从而在推挽配置中驱动2个异相 EF2 PA。
谢谢。
e2e.ti.com/.../4606.Sheet1.pdf
感谢您提供详细信息。
从设置了最大死区时间的外观来看、死区时间功能肯定很有用。
无需从外部连接到 VDD 和 VIN、因为 VDD 通过内部 LDO 自动连接、请记住 VDD 的额定电压为5V、而 VIN 的额定电压为18V。 请查看第6.3节中的建议运行条件表。
从外部将 BST 连接到 HB、并确保在 HB-HS (GND)上除了 VIN_GND 电容器外、还有2个 ESR 去耦电容器(>=1uF 和0.1uF)非常靠近引脚。
您可以在 PWM 引脚上添加一个小型占位电容器(<200pF)以进行滤波。
