Other Parts Discussed in Thread: TPS54386EVM
IC 中有用于控制环路的内部补偿。
在数据表的计算示例中、似乎没有考虑电容器的直流偏置、对吧?
对于 MLCC 电容器材料、 有一个典型特性、即电容(UF)与直流偏置(V)。 我们想知道它是否也会导致补偿调整? 您为什么没有考虑它? 非常感谢。
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IC 中有用于控制环路的内部补偿。
在数据表的计算示例中、似乎没有考虑电容器的直流偏置、对吧?
对于 MLCC 电容器材料、 有一个典型特性、即电容(UF)与直流偏置(V)。 我们想知道它是否也会导致补偿调整? 您为什么没有考虑它? 非常感谢。
非常感谢。
但是、在 TPS54386EVM 电路板上、所有电容器均使用 MLCC 类型。 其相补角看起来正常。 我想知道它是否使用了这些 MLCC 电容器的降额值?
在 TPS54386EVM 中、计算出的谐振频率为6.8KHz、电感为:8.2uH、Cout= 57uF (47uF + 10uF + 10uF)。
当这些电容器使用5V 降额值时、Cout 将从57uF 更改为40uF (20uF + 5uF + 5uF)、谐振频率约为10kHz。 它看起来已经超出了数据表的建议。 您能帮助澄清这一点吗? 谢谢。
我看不到有关 Cout 的明确说明直流偏置降额。
但当闭合环路时、稳定环路不需要计算精度。
数据表第8.3.12.2节第22页的设计示例计算了10.9uH、但使用了10uH。
此外、在设计过程中、计算 Cout 时会指出"可以使用峰值八倍频程内的任何频率
电容值的方法。 在本示例中、使用了6kHz "。 因此、可以使用1/2到2倍的 Fres 进行计算
公式12中的 COUT 会混淆直流降额。 我建议在公式中使用降额值。
数据表中的图24至29是内部补偿(输出至 VC 信号路径)的频率响应。