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[参考译文] TPS2493：MOS 激活的阈值

admin
Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2493, LM5066, CSD19536KTT
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/917311/tps2493-thresholds-for-mos-activation

器件型号：TPS2493
主题中讨论的其他器件： LM5066、 CSD19536KTT

您好！

我会使用 TPS2493来保护具有100A 电流限制和50V 标称电压的电机。 我设置电阻器网络以获得以下值：

UV = 35V (UVEN 引脚1上的分区 为0.7V)

OV= 60V (OV 引脚5-上的分区为0.46V)

VPROG= 0.615V (在引脚3上)、将功率限制在大约600W

我使用了两个 MOS " FDB86363-F085"

感应电阻为0.5m Ω

所有器件都按照数据表中的参考原理图进行连接、但我会遇到无法理解的行为：

 -当我使用160Ohm 的电阻负载时、一切正常、我发现 UV 和 OV 阈值与预期完全一样、因此电流仅在35 <Vcc<60 Volts. 时流入负载

 -当我使用1欧姆的电阻负载时、即使 Vcc=20V、MOSFET 也会关闭(电流流入负载)。 由于某种原因、栅极似乎已启用、应该位于 TPS2493内部。

我们非常感谢您的任何支持。

非常感谢

此致

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Leonardo、

    欢迎使用 E2E！  

    您能不能共享原理图并填写设计计算器以供审核。 设计计算器可从 https://www.ti.com/product/TPS2493#design-development##design-tools-simulation 获取 

    还应在1欧姆电阻负载下分享以下测试波形。

    1. UVEN、Vout、GATE、计时器电压
    2. VOUT、GATE、计时器、输入电流

    对于此100A、50V 设计、LM5066是一个不错的选择、因为电流限制阈值仅为26mV、因此 Rsense 中的功率损耗将减少到一半、并且易于在 PCB 上处理。

    此致、Rakesh

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Leonardo、

    您能告诉我们应用和最终产品的详细信息吗？

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Rakesh、

    这是实现的原理图

    请参阅随附的计算电子表格。

    e2e.ti.com/.../TI_2D00_calc.xlsx

    当 Vbat=20V 时、我找不到激活栅极的任何原因。

    根据数据表和电阻器网络、栅极应在35V 以下禁用、RLoad =165 Ω 时便是如此。 当 Rload=1 Ω 时、该电路无法按预期工作。

    波形、我恐怕 MOS 可能会烧坏、然后才会有任何有用的东西。

    感谢您的支持。

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    抱歉、

    附加了实现的原理图：

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Leonardo、

    感谢您提供详细信息。  

    该设计在所选 MOSFET 下看起来较弱。 请考虑使用强大的 SOA MOSFET、例如 PSMN4R8-100BSE 或 CSD19536KTT。 此外、将电流限制设置为恰好高于最大负载电流(使用1m Ω 电阻器设置45A 最小电流限制>最大负载电流)、以便提高设计裕度。 在多个 FET 配置中、请为 FET 添加单独的栅极电阻器、如 https://www.ti.com/lit/ug/snvu444/snvu444.pdf 所示

    要了解20V 时的错误行为、我仍然需要测试波形。 您能否在具有1欧姆电阻负载的触发模式下提供测试波形？ 在该测试之前，您是否预计会出现任何部分 FET 故障？

    1. UVEN、Vout、GATE、计时器电压
    2. VOUT、GATE、计时器、输入电流

    此致、Rakesh