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器件型号：CSD13380F3 主题中讨论的其他器件：CSD13385F5
大家好、
客户 正在寻找离散 NMOS 型功率 MOS。
Rdson 最好低于5mhom、Vds 为8V~10V。
封装尺寸为2*2mm2，TI 是否有任何建议？
谢谢！
专利
大家好、
客户 正在寻找离散 NMOS 型功率 MOS。
Rdson 最好低于5mhom、Vds 为8V~10V。
封装尺寸为2*2mm2，TI 是否有任何建议？
谢谢！
专利
尊敬的 Patty：
感谢您的查询。 我相信这也是谢长廷的要求。 我将在附加注释中提供相同的响应：我们没有满足5m Ω 导通电阻的 FemtoFET。 电阻最低的 FemtoFET 是 CSD13385F5 (VGS = 4.5V 时最大为19m Ω)。 我们在以下链接中提供了负载开关 FET 选择器工具。 在2x2mm SON 中、最低 RDS (ON)是 CSD13202Q2、 VGS = 4.5V 时的典型值为7.5m Ω。 为了达到最大5m Ω、您必须采用较大的3x3mm SON 封装。 一些可能的器件包括：
