[参考译文] CSD19534KCS：CSD19534KCS -并联 MOSFET

大家好、Mohan、

感谢您的查询。 我认为这是一种有效的方法 、假设所有 FET 都连接到同一个散热器、温度大致相同、并且平均共享电流。 但是、我认为您的功率耗散计算中存在错误。 您参考了 CSD19534KCS、它在 VGS = 10V 时的最大 RDS (ON)= 16.5m Ω、但计算使用的是3.3m Ω。 您是说 CSD19536KCS 是一款低得多的 RDS (on) FET 吗？ 请检查器件型号并查看数据表、以使用正确的 RDS (on)值进行传导损耗计算。 其次、请参阅数据表中的图8。 FET RDS (on)具有正温度系数、这意味着它在温度升高时较高。 图8可让您估算运行结温下的 RDS (ON)。 您需要使用该值进行传导损耗计算。 最后、我不知道您的应用程序详细信息。 如果在热插拔、ORing 或负载开关应用中使用 FET、则仅会产生导通损耗。 如果这是开关模式应用、例如电源或电机驱动器、其中 FET 以大约 kHz 的频率进行开关、除了传导损耗外、您还需要估算开关损耗。