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[参考译文] CSD19534KCS：CSD19534KCS -并联 MOSFET

admin
Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KCS, CSD19534KCS
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/916835/csd19534kcs-csd19534kcs---parallel-mosfet

器件型号：CSD19534KCS
主题中讨论的其他器件：CSD19536KCS、

尊敬的团队：

我们正在考虑在我们的一个应用中使用 MOSFET 的并联操作。

我们遇到了一个设计(TIDA-00364)、在该设计中、我们能够找到金属包中并联 SMD MOSFET 的热模型。

我们也考虑了同样的通孔 MOSFET 计算。 [总数=((RJC+RC)/n)+RSA)]

这是否也是计算通孔 MOSFET 的组合热阻的正确方法？

*注意：我们忽略了目前 calculation.e2e.ti.com/.../TI-Query.xlsx 上的其他连接热阻

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Mohan、

    感谢您的查询。 我认为这是一种有效的方法 、假设所有 FET 都连接到同一个散热器、温度大致相同、并且平均共享电流。 但是、我认为您的功率耗散计算中存在错误。 您参考了 CSD19534KCS、它在 VGS = 10V 时的最大 RDS (ON)= 16.5m Ω、但计算使用的是3.3m Ω。 您是说 CSD19536KCS 是一款低得多的 RDS (on) FET 吗？ 请检查器件型号并查看数据表、以使用正确的 RDS (on)值进行传导损耗计算。 其次、请参阅数据表中的图8。 FET RDS (on)具有正温度系数、这意味着它在温度升高时较高。 图8可让您估算运行结温下的 RDS (ON)。 您需要使用该值进行传导损耗计算。 最后、我不知道您的应用程序详细信息。 如果在热插拔、ORing 或负载开关应用中使用 FET、则仅会产生导通损耗。 如果这是开关模式应用、例如电源或电机驱动器、其中 FET 以大约 kHz 的频率进行开关、除了传导损耗外、您还需要估算开关损耗。

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Mohan、

    我忘记提到一些其他资源。 下面的链接指向有关 TI 如何测试和规范 MOSFET 热阻抗、负载开关 FET 选择的博客、我们还提供了一个负载开关 FET 选择工具、可让您计算高温下 FET 中的传导损耗。

    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance

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    TI__Guru**** 2382480 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 John：

    感谢详细的解释。

    我的结尾是错误 在发布时、我没有考虑正确的 RDS on 值。

    但是、由于热模型的方法相同、我们将继续保持相同的方法。

    最终结果是48V、5kW 逆变器。

    感谢您的支持。