大家好、
我查看了第6.2节：输出分离电源、我有一些问题：
单电源和双电源有何区别？ 如果我们讨论分离电源操作、单电源的用途是什么？
2.在第一种方法(单电源)中、齐纳二极管和电阻分支的用途是什么？ 从二极管的规格来看、它似乎是针对低于-5V 的 VSS 电压提供保护、那么为什么该电阻器与 VCC 串联？
此致、
Shay
您好、Shay、感谢您的提问
[引用用户="Shay Borenshtes]1. 单电源和双电源有何区别？ 如果我们讨论分离电源操作、单电源的用途是什么？[/报价]
UCC23513是一款单输出驱动器(一个 OUT 引脚)。 本节讨论单极电源所需的外部元件的差异
单极电源只有一个正电源。 这意味着当驱动器关闭 IGBT 时、它会将栅极下拉、使 VGE=0 (或者在 MOSFET 情况下、VGS=0)
例如、单极电源可能如下所示：
双极电源提供正负电源、以接地/发射极/源极为基准。 这意味着当驱动器关断 IGBT 时、它提供负偏置、这意味着 VGS/VCE 实际上是负的、因此您可以说 IGBT/FET 比单极电源更关断。
例如、双极电源可能如下所示：
在关断时提供负偏置的目的是什么？ 当 IGBT 关断时、IGBT/FET 栅极在每个周期下拉为低电平、VCE 会快速尖峰、从而产生较大的 dv/dt 瞬态、该瞬态会通过器件的米勒电容耦合、向栅极注入一些电流会导致栅极电压上升。
虽然 dv/dt 本身有可能通过超过 VCE 限值来损坏器件、但在开关时可能会导致其他高 dv/dt 问题。
这可以通过 Q=CV -> I=C*dv/dt 来理解。 当晶体管切换为"更硬"(灌电流更大)或总线电压更大或米勒电容器更大(器件尺寸)时、注入电流更大、并且增大了向上摆动栅极电压并错误地打开器件的可能性。
例如、如果低侧器件误接通、则 VBUS 与地之间基本上存在短路、这种情况非常糟糕。 至少会损坏开关。 因此、您确实需要确保这些开关保持关闭状态。
因此、双极电源很重要、通过将栅极电压拉至源极以下、可以确保器件在注入电流流经米勒钳位的情况下保持关断。 米勒钳位也有助于实现这一目的(但这不是该器件的一项功能)。 米勒钳位也可与双极电源结合使用。
[引用用户="Shay Borenshtes">2. 在第一种方法(单电源)中、齐纳二极管和电阻分支的用途是什么？ 从二极管的规格来看、它似乎是针对低于-5V 的 VSS 电压提供保护、因此为什么该电阻器与 VCC 串联？[/quot]
与单极电源相比、使用双极电源可能会增加系统的成本和尺寸、因此有时设计人员可能不希望使用双极隔离电源。
EVM 中的齐纳二极管选项是一种变通办法、可通过单极电源获得负导通偏置、主要是安装了 C6/C7/D2。 下面 的 EVM 文档为其设置了屏幕上限。
查看它的更好方法是从下面显示的不同器件数据表中获取、以便我们更好地了解它如何连接到电源开关。
齐纳二极管的真正用途与保护没有任何关系。 请密切注意下面的单极电源(25V)、Ca1、Ca2、Rz 和齐纳二极管。
齐纳二极管本质上强制 VSSA 以开关源极/发射极以下的齐纳压降为基准。 (或该二极管的任何齐纳钳位电压)
您可以看到、这意味着我们可以仅使用单极电源有效地实现负下拉偏置。
值得注意的是、该配置确实需要一些电流通过 Rz "泄漏"、以便像这样钳制发射器和 VSSA 之间的电压。 因此、该设置的主要缺点是无法使用高侧驱动器常用的自举电源。
使用单个单极电源并在高侧使用自举(未在 EVM 中实现)获得负导通偏置的拓扑如下所示。
但它有挑战。 除非占空比是固定的(50%)、并且确实需要一些微调、否则不能使用。
希望这能解答您的问题。 如果有、请单击绿色按钮通知我。 在使用 UCC23513EVM 时、如有任何问题、请随时向我们提出。
最棒的
Dimitri
