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主题中讨论的其他器件：CSD13202Q2、 CSD17577Q3A、 CSD17581Q3A您好、先生、
我的客户希望在以下条件下设计 NMOS 功率 MOS。
- Rdson 最好低于5mhom、Vds 为8V~10V。
- 封装尺寸为2*2mm2
请就此提供建议吗？
BR、
SHH
您好、先生、
我的客户希望在以下条件下设计 NMOS 功率 MOS。
请就此提供建议吗？
BR、
SHH
您好、Scott、
很高兴再次听到您的声音。 这是否与我们之前在 e2e 上讨论过的应用一样、也与常规电子邮件中讨论过的应用相同？ 我们在以下链接中提供了负载开关 FET 选择器工具。 在2x2mm SON 中、最低 RDS (ON)是 CSD13202Q2、VGS = 4.5V 时的典型值为7.5m Ω。 为了达到最大5m Ω、您必须采用较大的3x3mm SON 封装。 一些可能的器件包括：
