[参考译文] NMOS 设计建议

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Other Parts Discussed in Thread: CSD13202Q2, CSD17577Q3A, CSD17581Q3A

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/916725/asking-for-the-nmos-design-recommendation

主题中讨论的其他器件：CSD13202Q2、 CSD17577Q3A、 CSD17581Q3A

您好、先生、

我的客户希望在以下条件下设计 NMOS 功率 MOS。

Rdson 最好低于5mhom、Vds 为8V~10V。
封装尺寸为2*2mm2

请就此提供建议吗？

BR、

SHH

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2812305 points

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您好、Scott、

很高兴再次听到您的声音。这是否与我们之前在 e2e 上讨论过的应用一样、也与常规电子邮件中讨论过的应用相同？我们在以下链接中提供了负载开关 FET 选择器工具。在2x2mm SON 中、最低 RDS (ON)是 CSD13202Q2、VGS = 4.5V 时的典型值为7.5m Ω。为了达到最大5m Ω、您必须采用较大的3x3mm SON 封装。一些可能的器件包括：

CSD17577Q3A、VGS = 10V 时最大4.8m Ω
CSD17581Q3A、VGS = 4.5V 时最大值为4.7m Ω

电源管理（参考译文帖）

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