[参考译文] LM25141-Q1：LM25141输出电压不正确

你(们)好

您还可以查看以下内容：

1、无论您使用的是大 Qg MOSFET、使 VCC 过流、都可以将外部电压源连接到 VCCX、以获得更大的电流

2.您是否有非常接近 LM25141的 VIN 引脚的认证电容器

3.续流您的 ANGD 和 PGND 连接正确

谢谢

Daniel、您好！

  1、我使用了 GaN FET、请查看下图中的参数（第一个是 HS、第二个 ISL）：  

  2，Vin 电容靠近 VIN 引脚

  3，我使用0Ohm 电阻器在 AGND 和 PGND 之间进行连接

你(们)好  

您是否试用过外部 VCC？您能否共享原理图和 PCB 布局？

您还可以检查的一点是、您可以断开 GanFET 以查看 VCC 和 VDD 是否正确。 如果正常，您可能需要检查 EN。

GanFet 具有非常高的 dv/dt、这很容易干扰芯片的工作原理、因此很难预测哪个函数存在问题、因此我们可能需要原理图和 PCB 布局。  

谢谢

李丹尼尔

您好 Daniel，í a

  当我 断开 GanFET 时、VCC 和 VDDA 的输出电压通常为5V。

  随附原理图和 PCB，软件为 AD19

  e2e.ti.com/.../IB-PowerBoard.zip

 Daniel，您好！

  感谢您的建议。

  ，我要将 GaN FET 更改为 Si MOSFET，、您可以帮助我确认以下 MOSFET 是否可以由 LM25141？驱动

e2e.ti.com/.../ONSM_2D00_S_2D00_A0001842162_2D00_1.pdf

你(们)好  

根据 MOSFET 数据表的图8、在5V 时、Qg 为90nC、频率为400kHz、需要 proivde 2*900nc*400kHz=720mA、这意味着 VCC 需要为驱动器提供720mA 电流。  内部 LDO Rdson 看起来是2欧姆、它将导致从 VCCx 到 VCC 的1.4V 压降、并包括二极管压降、我认为驱动该 MOSFET 可能还不够。

我建议您使用两相控制器来驱动高电流，推荐使用 LM5143

您好 Daniel，í a

  我能不能），HO 和 HOL 的输出电压低于3V（≤5V-1.4V-0.6V=3V、因此该 MOSFET 不是 足以完全导通？μ H

  但我不能理解您说的从 VCCx 到 VCC，的压降电压是因为 VCCx 看起来像未使用，此外，为什么 在计算 VCC 提供？μ A 的电流时、您是否乘以2

你(们)好

使用2意味着您有一对 MOSFET (高侧和低侧)，所有驱动电流都由 VCC 提供。

您必须使用 VCCX、原因不使用 VCCX 时、内部 LDO 只能提供75mA 电流(DS 7.3.2)。  

谢谢

 Daniel，您好！

  很抱歉、我还有疑问，正如您所说、我必须使用 VCCx，您是要增大通过 VCCx 连接到外部电源的驱动电流？如果是，μ A、我认为这可以提供高电流。

你(们)好

是的、您必须使用 VCCx、但从 VCCX 到 VCC 的内部阻抗以及启动二极管上的压降仍然存在。 最好查看 Vgs 电压、它可能会对驱动电压产生问题。

谢谢