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[参考译文] CSD18540Q5B：CSD18540Q5B

admin
Guru**** 1133420 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV8711, CSD18540Q5B, CSD17510Q5A, DRV8711EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/913518/csd18540q5b-csd18540q5b

器件型号：CSD17510Q5A
主题中讨论的其他器件：DRV8711、 CSD18540Q5B、 DRV8711EVM

你好
能否使用 DRV8711和 CSD18540Q5B 构建1/250微停止驱动器？
Qg 是否适合这种情况？
QG 栅极电荷总量(10V)：41-53nC

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    您好、Abolfazl、

    感谢您的查询。 下面是有关为电机驱动应用选择 FET 的技术文章的链接。 我负责 FET 的应用、负责 DRV8711的电机驱动应用团队更好地回答了这个问题。 我将在发布我的回复后将其发送给他们。

    e2e.ti.com/.../how-to-select-a-mosfet-part-2

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    器件型号：CSD17510Q5A

    你好
    能否使用 DRV8711和 CSD17510构建8-52V 微带驱动器？
    VDS 是否适合这种情况？
    VDS：30V
    为 DRV8711选择 MOSFET 时、应注意哪些规格？

    请介绍 DRV8711的一些 MOSFET。

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    您好、Abolfazl、

    再次感谢您的查询。 请参阅我对您的其他帖子的回复中的技术文章。 选择 FET 时、必须首先确保 BVDSS 大于输入电压。 如果输入电压最大为52V、则至少需要60V FET。 我将把这一信息转发给 DRV8711应用团队、以帮助了解详细信息。

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    在 H 桥上、两个 MOSFET 在电路中串联、如果每个 MOSFET 的 Vds 为30伏、则 H 桥可支持60伏。
    这句话是否正确？

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    谢谢你。 我正在等待您的详细回答。

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    您好、Abolfazl、

    您的两个线程已合并。

    在 H 桥上、两个 MOSFET 在电路中串联、如果每个 MOSFET 的 Vds 为30伏、则 H 桥可支持60伏。
    这句话是否正确？


    当高侧处于活动状态时、低侧 FET 的 VDS 为 VM V。 当低侧 FET 处于活动状态时、高侧 FET 的 VDS 为 VM V。 正如 John 所说、BVDSS 必须大于输入电压(DRV8711的 VM 电压)。

    能否使用 DRV8711 和 CSD18540Q5B 构建1/250微停止驱动器？
    Qg 是否适合这种情况？
    QG 栅极电荷总量(10V)：41-53nC

    如果您是1/250、则不能。 DRV8711具有一个内部分度器、允许微步进为2的幂。
    要创建1/250、您将需要不同的器件。

    如果您是1/256、是的、您可以使用 DRV8711和 CSD18504Q5B。

    CSD18531Q5B 可用作替代器件。 DRV8711EVM 使用 CSD18531Q5A (Rdson 更高、但成本更低)。

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    非常感谢您的解释。
    我问过有关 CSD18540的问题、但您是针对 CSD18504写信的。
    我可以使用 CSD18540吗？

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    TI__Guru**** 1133420 points
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    抱歉、这是一个拼写错误、

    响应应注明 CSD18540Q5B。 CSD18504Q5B 不存在。