主题中讨论的其他器件:TPS1663、
您好!
如果我想在 FET 栅源极之间添加陶瓷电容器来测量 ESD、我应该在栅极侧或源极侧添加电阻吗?
2.我应该如何设置 电阻值?
3."栅极电容器(dV/dt)控制"可以是 ESD 的有效方法?e2e.ti.com/.../Adding-External-GATE_2D00_OUT-Capacitance.pptx
此致、
卡苏加
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您好!
如果我想在 FET 栅源极之间添加陶瓷电容器来测量 ESD、我应该在栅极侧或源极侧添加电阻吗?
2.我应该如何设置 电阻值?
3."栅极电容器(dV/dt)控制"可以是 ESD 的有效方法?e2e.ti.com/.../Adding-External-GATE_2D00_OUT-Capacitance.pptx
此致、
卡苏加
您好、Rakesh、
感谢你的答复。
我知道不建议使用该解决方案。
我面临 ESD 测试导致的短期 Vout 压降(高于10kV)。 请参阅随附的波形。
当 Vout 下降持续约15ms 时、FLT 和 PG 显示故障状态、但随后返回正常状态。 这种情况是可以的、因为我们的系统可以正确重新启动。
但是 、当 Vout 下降持续约2ms 时、FLT 和 PG 均保持正常状态、但即使提供 Vout、我们的系统也无法重启。
您知道在这些情况下会发生什么情况吗? 我想知道如何解决这个问题。
e2e.ti.com/.../About-ESD-issue.pptx
此致、
卡苏加
您好、Rakesh、
请确认 RC 滤波器(1us 时间常数)添加到随附文件中的位置。
此致、Kasuga
您好、Rakesh、
很抱歉再次打扰您。
是否要检查架构和模式? 尚未添加 RC 滤波器和 TVS 二极管。
如果有任何问题、请告知我。
此致、Kasuga
您好、Rakesh、
感谢你的建议。 但从现在开始、我没有足够的时间来更改控制器 IC。 因此、请查看 TPS2493的设计计算器。
e2e.ti.com/.../TPS249x_5F00_8x_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_B_5F00_20200122.xlsx
关于 RC 滤波器(0.1uF + 10欧姆、0.1uF + 5欧姆)、我尝试添加为"RC滤波器.pptx"、但出现了输出电压下降。
你有其他想法吗?
此致、Kasuga
您好、 Kasuga、
感谢您提供详细信息。 从 SOA 裕度的角度来看、该设计看起来不错。
原理图中 Rsense 两端的 RC 组件连接正确。 为了使其更有效、请将 C 移至靠近 VCC 和 SENSE 引脚的位置。 如果这样做没有帮助、请考虑在热插拔输入端添加更多电容或 LC 滤波器。
此外、为了抑制瞬态电压、需要在输入端使用 TVS 二极管(SMBJ33A)。 博客解释了为何需要 TVS 二极管 https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2019/12/06/selecting-tvs-diodes-in-hot-swap-and-oring-applications
此致、Rakesh
您好、Rakesh、
非常感谢您的检查。 在这里、我感到很放松。
关于 RC 滤波器的放置、我将尝试将 C 移至靠近 VCC 和 SENSE 引脚的位置。
>请考虑添加更多电容
是否有电容上限指南?
关于 TVS 二极管、是否存在使用 DFLT30A (二极管公司)的问题? 它是否为我提供了足够的规格?
最大峰值脉冲电流:4.65A。
直流稳态功率耗散:1W
此致、Kasuga
您好、 Kasuga、
输入电容值的限制来自交流适配器插件期间的浪涌电流。 我建议在输入端不要使用超过10uF 的电容。
关于 TVS 二极管、我建议使用 SMBJ30A 在断路器关断事件期间有效钳制电感反冲电压、并吸收电源侧的瞬态事件。
请参阅 https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2019/12/06/selecting-tvs-diodes-in-hot-swap-and-oring-applications 和 https://www.powerelectronics.com/technologies/circuit-protection-ics/article/21853356/tvs-clamping-in-hotswap-circuits 、了解 TVS 二极管的选择概述。
此致、Rakesh