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你(们)好
以下是一些意见:
1.当开关时,GanFET 具有非常快的 dv/dt,这可能会干扰电流感应和芯片的控制块(您可能需要非常注意布局)
2.电流感应需要放置为差分方式,接地应包含电流感应迹线,使其不受噪声源的干扰
LM3. LM5143是为驱动 MOSFET 而设计的,它在驱动器中没有用于保护 GANFET GS 的内部钳位电路。
4.您能否上传问题波形、包括 SW、IL 以及原理图?
谢谢
Daniel、您好!
感谢您的快速响应。
除了在电流感应输入端放置一个100pF 电容器外、移除软启动电容器还可改善启动行为。
1、我测量了约25V/ns 的 dv/dt (输入电压为20..30V)。 LM5143的限制是多少? 最好为高侧 FET 插入一个栅极电阻器来限制 dV/dt。 EPC 建议至少使用1至3欧姆。
2.电流感测走线布置在顶部信号层上,而不是被接地走线完全包围。 我们可能可以在内层上布置电流感应迹线。
3.是的,你是对的。 在最终设计中、我计划在高侧栅极上放置自由轮二极管和4.7V 齐纳二极管。
4.随附的是原理图的一部分(两相12V/40A 电源单元)。 波形。 请注意、我使用了标准探针接地夹
-迹线1是驱动器 U400驱动器1的 SW1电压、以防输出电压正常。 请注意占空比的突然变化。
-迹线2是 SW1 (y)和 SW2 (r)迹线、以防输出电压正常。
-迹线3是 SW1的上升沿、输出电压正常
-在输出电压为 NOK (大约10V 而非12V)的情况下、迹线4是 SW1电压
-如果 输出电压为 NOK、则迹线5是 SW1 (y)和 SW2 (r)电压迹线。
-迹线6是 L400-L401节点的输出电压
你(们)好
请提出我的建议
1.看起来只有 Vo 具有电容,这很容易得到噪声并进入电流感测引脚(VOUT1、VOUT2),建议在高频时放置更多低阻抗陶瓷电容,有助于过滤输出噪声
2. L402短路时、L C 滤波器的两级不会有利于环路稳定性
3、我无法很清楚地看到补偿值、使用 cacator 来查看环路补偿是否正常、您还可以增加 Ccomp 并降低 Rcomp 以减少带宽、从而查看任何帮助
4.在输入端放置更多陶瓷电容,并确保 Vin 引脚附近有旁路电容。