This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM22676:LM22676的 EMI 问题

Guru**** 1655900 points
Other Parts Discussed in Thread: LM22676
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/911563/lm22676-emi-issue-of-lm22676

器件型号:LM22676

大家好、

我的 CTM 在其系统中使用 LM22676作为降压直流/直流、这只是直流/直流。 输入电压为12V、 输出电压为3.3V、处理器为 NXP RT1052、PHY 8081。我们无法通过 GBT 9254_ClassB EMI 测试。

测试数据\sch 和 PCB 文件为连接。

您是否愿意就此问题向我们提供一些建议?

非常感谢。

BR

Sarae2e.ti.com/.../document.zip

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Sara、

    感谢您提供原理图/布局/结果。

    原理图:

    • FB17似乎是可复位保险丝、而不是铁氧体磁珠。 替换为铁氧体磁珠、然后再次测试。
    • Cin 应具有与 EVM 类似的更多陶瓷电容。 它目前是0.1uF 陶瓷电容和100uF 电解电容。 陶瓷电容器不够大、无法抑制 VIN 纹波、电解电容器的 ESR 也会产生纹波。 我建议使用6.8uF 陶瓷电容与0.1uF 电容搭配使用。
    • L4是"屏蔽"电感器、但在整个电感器周围没有屏蔽。 全屏蔽电感器可提供更好的 EMI 性能。

    布局:

    • IC 下方的 GND 焊盘未完全连接。 这应该是 IC 下方的实心多边形。
    • 应在输入电容器的 GND 引脚上放置过孔。 这样、返回电流可以直接返回到电容器。
    • C110和 C111应切换位置。 C110具有较低的电感封装、这将允许更多高频噪声重定向回输入电容器。
    • 尝试将 L4旋转180度。 有时、电感器的非对称结构会导致 EMI 性能发生重大变化。

    Sam