[参考译文] TPS53211：TPS53211的死区时间

您好！

这是一个非常古老的部分。 我甚至无法在 TI.com 上找到 EVM。 它是一个控制器、而不是降压转换器。 我的理解是死区时间取决于控制器的拉电流和灌电流能力以及外部 MOSFET 的 CGS。 如果没有特定的外部 MOSFET、我们可能不知道实际死区时间。 如果您拥有 TPS53211和电路板、我建议您对所选的 MOSFET 进行一些测试。

用户6168601 

这位是 Peter James Miller、德州仪器高级应用和客户支持工程师、TPS53211控制器的应用主管。  TPS53211控制器采用自适应先断后合死区时间控制架构、可监控引脚上的 Vgs 电压(低侧 FET 的 LGATE 至 GND、高侧 FET 的 UGATE 至 PHASE)、从而控制两个 FET 之间的死区时间。  这使得控制器能够针对外部 FET 条件、栅极电容、温度变化等调整死区时间、同时在一个 FET 的关断和另一个 FET 的导通之间保持最小的时间。

高侧到低侧死区时间从 UGATE 到相位下降到低于1V 到 LGATE 上升到高于 GND 开始的时间、 通常测量值为15ns、但可能高达30ns。

低侧到高侧死区时间的测量范围为从 LGATE 到 GND 下降到低于1V 到 UGATE 上升到高于相位的开始、通常测量值为15ns、尽管它可能高达25ns。

测量其他电压下的死区时间、例如90%下降至10%上升、延迟将产生更长的延迟、而这些延迟不表示体二极管导通或反交叉导通周期、并且受到 FET 栅极电荷和开关节点转换率等外部因素的严重影响。

由于反交叉传导电路的工作原理是感测 UGATE 至相电压和 LGATE 至 GND 电压、因此添加串联栅极驱动电阻将缩短实际死区时间、因为 LGATE 和 UGATE 电压的转换速度比 FET 的实际栅极电压快。  当使用小电阻和中等栅极电荷 FET 时、这通常不是问题、但使用大栅极驱动电阻器和大栅极电荷 FET 会导致栅极电压显著延迟并强制直通。  由于较低 Rdson 低侧 FET 上通常使用较高的栅极电荷、因此它们在 UGATE 下降 LGATE 上升死区时间中最为常见。